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太陽(yáng)能電池用硅單晶片檢測(cè)項(xiàng)目報(bào)價(jià)???解決方案???檢測(cè)周期???樣品要求? |
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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅單晶片(簡(jiǎn)稱硅片)的牌號(hào)及分類、要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、質(zhì)量證明書(shū)和訂貨單(或合同)內(nèi)容等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于由直拉法制備的硅單晶加工成的準(zhǔn)方形或方形硅片,產(chǎn)品用于制作太陽(yáng)能電池的襯底片。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非本征半導(dǎo)體材料中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)試方法,包含穩(wěn)態(tài)光電壓法、恒定光通量法和數(shù)字示波器記錄法。\r本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征半導(dǎo)體材料,如硅單晶片或相同導(dǎo)電類型重?fù)揭r底上沉積的、已知電阻率的同質(zhì)外延層中的少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)試,測(cè)試樣品(外延層)的厚度大于擴(kuò)散長(zhǎng)度的4倍。本標(biāo)準(zhǔn)可測(cè)試樣品的電阻率和載流子壽命的極限尚未確定,但已對(duì)電阻率0.1Ω·cm~50Ω·cm、載流子壽命短至2ns的P型和N型硅樣品進(jìn)行了測(cè)試。本標(biāo)準(zhǔn)還可通過(guò)測(cè)試擴(kuò)散長(zhǎng)度后計(jì)算出硅中的鐵含量。\r本標(biāo)準(zhǔn)也可用于測(cè)試其他半導(dǎo)體材料,如砷化鎵樣品(需同時(shí)調(diào)整相應(yīng)的光照波長(zhǎng)(能量)范圍和樣品制備工藝)等的有效擴(kuò)散長(zhǎng)度,評(píng)價(jià)晶粒間界垂直于表面的多晶硅樣品中的有效擴(kuò)散長(zhǎng)度,還可用于測(cè)試硅片潔凈區(qū)寬度,以及太陽(yáng)能電池和其他光學(xué)器件的有效擴(kuò)散長(zhǎng)度。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子信息企業(yè)能源管理體系的認(rèn)證要求,規(guī)定了電子信息企業(yè)能源使用和消耗實(shí)施系統(tǒng)管理的基本要求,考慮了影響電子信息企業(yè)能源績(jī)效的因素,明確了電子信息企業(yè)能源管理體系的具體要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子信息企業(yè)的能源管理體系認(rèn)證,可用于電子信息企業(yè)建立、實(shí)施、保持和改進(jìn)其能源管理體系,也作為各相關(guān)方考核電子信息企業(yè)能源管理體系的依據(jù)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶和硅單晶片單位產(chǎn)品能源消耗(以下簡(jiǎn)稱能耗)限額的要求、計(jì)算原則、計(jì)算范圍、計(jì)算方法和節(jié)能管理與措施。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶,包括半導(dǎo)體級(jí)硅單晶、太陽(yáng)能級(jí)硅單晶;硅單晶片,包括半導(dǎo)體器件用硅單晶片和光伏太陽(yáng)能電池用硅單晶片(以下統(tǒng)稱硅片)生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)品能耗的計(jì)算、考核以及對(duì)新建項(xiàng)目的能耗控制。
This part of DIN EN 62047 defines terms for micro-electromechanical devices including the process of production of such devices.
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