硅外延片檢測

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GB/T 6618-2009硅片厚度和總厚度變化測試方法

本標準規定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片和外延片(簡稱硅片)厚度和總厚度變化的分立式和掃描式測量方法。 本標準適用于符合GB／T 12964、GB／T 12965、GB／T 14139規定的尺寸的硅片的厚度和總厚度變化的測量。在測試儀器允許的情況下，本標準也可用于其他規格硅片的厚度和總厚度變化的測量。

GB/T 12964-2018硅單晶拋光片

本標準規定了硅單晶拋光片(簡稱硅拋光片)的牌號及分類、要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書和訂貨單(或合同)內容。本標準適用于直拉法、懸浮區熔法(包括中子嬗變摻雜和氣相摻雜)制備的直徑不大于200 mm的硅單晶拋光片。產品主要用于制作集成電路、分立元件、功率器件等，或作為硅外延片的襯底。

GB/T 14015-1992硅-蘭寶石外延片

本標準規定了藍寶石襯底上生長的單晶硅外延片的技術要求、測試方法、檢驗規則。 本標準適用于半導體器件用藍寶石襯底上生長的單晶硅外延片。

GB/T 14139-2019硅外延片

本標準規定了硅外延片的牌號和分類、要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書和訂貨單(或合同)內容。本標準適用于在直徑不大于150 mm的N型和P型硅拋光片襯底上生長的硅外延片。

GB/T 14142-2017硅外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法

本標準規定了用化學腐蝕顯示，并用金相顯微鏡檢驗硅外延層晶體完整性的方法。本標準適用于硅外延層中堆垛層錯和位錯密度的檢驗，硅外延層厚度大于2 μm，缺陷密度的測試范圍0~10 000 cm<上標-2>。

GB/T 14146-2021硅外延層載流子濃度的測試 電容-電壓法

本文件規定了電容-電壓法測試硅外延層載流子濃度的方法，包括汞探針電容-電壓法和無接觸電容-電壓法。本文件適用于同質硅外延層載流子濃度的測試，測試范圍為4×10<上標13> cm<上標-3>~8×10<上標16> cm<上標-3>，其中硅外延層的厚度大于測試偏壓下耗盡層深度的兩倍。硅單晶拋光片和同質碳化硅外延片載流子濃度的測試也可以參照本文件進行，其中無接觸電容-電壓法不適用于同質碳化硅外延片載流子濃度的測試。

GB/T 14264-2009半導體材料術語

本標準規定了半導體材料及其生長工藝、加工、晶體缺陷和表面沾污等方面的主要術語和定義。本標準適用于元素和化合物半導體材料。

GB/T 14844-2018半導體材料牌號表示方法

本標準規定了半導體多晶、單晶、晶片、外延片等產品的牌號表示方法。本標準適用于半導體多晶、單晶、晶片、外延片等產品的牌號表示，其他半導體材料牌號表示可參照執行。

GB/T 16595-2019晶片通用網格規范

本標準規定了可用于定量描述圓形半導體晶片表面缺陷的網格圖形。本標準適用于標稱直徑100 mm~200 mm的硅片，也適用于其他半導體材料晶片。

GB/T 19921-2018硅拋光片表面顆粒測試方法

本標準規定了應用掃描表面檢查系統對拋光片、外延片等鏡面晶片表面的局部光散射體進行測試，對局部光散射體與延伸光散射體、散射光與反射光進行區分、識別和測試的方法。針對130 nm~11 nm線寬工藝用硅片，本標準提供了掃描表面檢查系統的設置。本標準適用于使用掃描表面檢查系統對硅拋光片和外延片的表面局部光散射體進行檢測、計數及分類，也適用于對硅拋光片和外延片表面的劃傷、晶體原生凹坑進行檢測、計數及分類，對硅拋光片和外延片表面的桔皮、波紋、霧以及外延片的棱錐、乳突等缺陷進行觀測和識別。本標準同樣適用于鍺拋光片、化合物拋光片等鏡面晶片表面局部光散射體的測試。

GB/T 30453-2013硅材料原生缺陷圖譜

本標準給出了硅多晶、硅單晶、硅片和硅外延片等硅材料的各種原生缺陷及其密切相關誘生缺陷的術語及其形貌特征圖譜。分析了其產生的原因和消除方法。本標準適用于硅多晶、硅單晶、硅片和硅外延片等硅材料生產研究中各種缺陷的檢驗。硅器件、集成電路的生產研究也可參考本標準。

GB/T 32279-2015硅片訂貨單格式輸入規范

本標準規定了硅片訂貨單的格式要求和使用。本標準適用于硅單晶研磨片、硅單晶拋光片、硅單晶外延片、太陽能電池用硅單晶切割片、太陽能電池用多晶硅片的訂貨單格式，其他半導體材料的訂貨單可參照本標準執行。

GB/T 35310-2017200 mm硅外延片

本標準規定了直徑200 mm硅外延片的術語和定義、產品分類、要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書。本標準適用于在N型和P型硅拋光襯底片上外延生長的硅外延片。產品主要用于制作集成電路或半導體器件。

GB/T 39145-2020硅片表面金屬元素含量的測定 電感耦合等離子體質譜法

本標準規定了電感耦合等離子體質譜法測定硅片表面金屬元素含量的方法。本標準適用于硅單晶拋光片和硅外延片表面痕量金屬鈉、鎂、鋁、鉀、鈣、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅元素含量的測定，測定范圍為10<上標8> cm<上標-2>~10<上標13> cm<上標-2>。本標準同時也適用于硅退火片、硅擴散片等無圖形硅片表面痕量金屬元素含量的測定。

GB/T 42902-2023碳化硅外延片表面缺陷的測試 激光散射法

本文件描述了激光散射法測試碳化硅外延片表面缺陷的方法。本文件適用于4H-SiC外延片的表面缺陷測試。

SJ/T 207.3-2018設計文件管理制度 第3部分:文字內容和表格形式設計文件的編制方法

SJ/T 207的本部分規定了電子信息產品文字內容和表格形式設計文件的編制方法。本部分適用于電子信息產品文字內容和表格形式設計文件的編制，也適用于設計文件中產品的圖樣、簡圖的文字內容。其他行業產品的設計文件可參照采用。

SJ 2593-1985高純四氯化硅

本標準適用于生長半導體器件及集成電路的硅外延片和生產光通訊器什川光纖予制件的四氯化硅。

SJ 2595-1985高純四氯化硅中痕量磷的分光光度比色測試方法

本方法適用于生長半導體器件及電路用硅外延片、多晶硅和光通訊器件用光纖予制件的高純四氯化硅中磷含量的測試方法。

SJ 20514A-2018微波功率晶體管用硅外延片規范

本規范規定了微波功率晶體管用硅外延片(以下簡稱外延片)的要求、質量保證規定、交貨準備和說明事項。本規范適用于微波功率晶體管用直徑為76.2 mm~200 mm的同質外延片的設計、制造、檢驗，其它半導體分立器件同質外延片也可參照執行。

SJ 21493-2018碳化硅外延片表面缺陷測試方法

本標準規定了碳化硅外延片表面缺陷密度的光學測試方法。本標準適用于在4H晶型碳化硅襯底上生長了同質外延層的外延片的表面缺陷密度測試，樣品表面法線方向為［0001］方向，且其偏離角度不應大于8°。