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集成電路芯片檢測

發布日期： 2024-06-21 17:34:53 - 更新時間：2024年06月29日 15:22

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GB/T 2036-1994印制電路術語

本標準規定了印制電路技術的常用術語及其定義。本標準適用于印制電路用基材、印制電路設計與制造、檢測與印制板裝聯及有關領域。

GB/T 2900.32-1994電工術語電力半導體器件

本標準規定了電力半導體器件的專用術語。本標準適用于制訂標準、編訂技術文件、編寫和翻譯手冊、教材及書刊。

GB/T 2900.66-2004電工術語半導體器件和集成電路

GB／T 2900的本部分界定了半導體技術、半導體設計和半導體類型的通用術語。

GB/T 3859.4-2004半導體變流器包括直接直流變流器的半導體自換相變流器

本部分適用于電力變流器中至少有一部分是自換相型的所有類型半導體自換相變流器。例如：交流變流器，間接直流變流器，直接直流變流器。 GB／T 3859．1中的要求，只要不與本部分相矛盾，也同樣適用于自換相變流器。對于某些特殊應用，如不間斷電源設備(UPS)，交、直流調速傳動和電氣牽引設備，可使用另外的標準。注：試驗限制可適用于特殊應用，如大功率無功變流器。

GB/T 4023-2015半導體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管

本部分給出下列各類或各分類器件的標準：整流二極管包括：——雪崩整流二極管；——可控雪崩整流二極管；——快開關整流二極管。

GB/T 4475-1995敏感元器件術語

本標準規定了敏感元器件的術語及定義，包括熱（溫）敏、光敏、壓敏、濕敏、氣敏、磁敏、力敏、離子敏、生物敏、放射線敏和纖維光學敏感元器件11個部分。本標準適用于敏感元器件的生產、使用、科研和教學等方面，作為統一技術用語的依據。

GB/T 4589.1-2006半導體器件第10部分:分立器件和集成電路總規范

本規范構成電工委員會電子元器件質量評定體系（IECQ）的一部分。本規范是半導體器件（分立器件和集成電路，包括多片集成電路，但不包括混合電路）的總規范。本規范規定了在IECQ體系內采用的質量評定的總程序，并給出了下述方面的總原則： ——電特性測試方法； ——氣候和機械試驗； ——耐久性試驗。

GB/T 4937.1-2006半導體器件機械和氣候試驗方法第1部分:總則

本部分適用于半導體器件（分立器件和集成電路）并為GB/T 4937系列的其他部分建立通用準則。當本部分與相應的詳細規范有矛盾時，以詳細規范為準。

GB/T 4937.11-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第11部分:快速溫度變化雙液槽法

GB/T 4937的本部分規定了快速溫度變化——雙液槽法的試驗方法。當器件鑒定既可以采用空氣-空氣溫度循環又可以采用快速溫度變化——雙液槽法試驗時，優先采用空氣-空氣溫度循環試驗。本試驗也可采用少量循環(5次~10次)的方式來模擬清洗器件的加熱液體對器件的影響。本試驗適用于所有的半導體器件。除非在有關規范中另有說明，本試驗被認為是破壞性的。本試驗與GB/T 2423.22-2002基本一致，但鑒于半導體器件的特殊要求，采用本部分的條款。

GB/T 4937.12-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第12部分:掃頻振動

GB/T 4937的本部分的目的是測定在規定頻率范圍內，振動對器件的影響。本試驗是破壞性試驗，通常用于有空腔的器件。本試驗與GB/T 2423.10-2008基本一致，但鑒于半導體器件的特殊要求，采用本部分的條款。

GB/T 4937.13-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第13部分:鹽霧

GB/T 4937的本部分規定了半導體器件的鹽霧試驗方法，以確定半導體器件耐腐蝕的能力。本試驗是模擬嚴酷的海邊大氣對器件暴露表面影響的加速試驗。適用于工作在海上和沿海地區的器件。本試驗是破壞性試驗。本試驗總體上符合IEC 60068-2-11，但鑒于半導體器件的特殊要求，采用本部分的條款。

GB/T 4937.14-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第14部分:引出端強度(引線牢固性)

GB/T 4937的本部分規定了幾種不同的試驗方法，用來測定引線/封裝界面和引線的牢固性。當電路板裝配錯誤造成引線彎曲，為了重新裝配對引線再成型加工時，進行此項試驗。對于氣密封裝器件，建議在本試驗之后按IEC 60749-8進行密封試驗，以確定對引出端施加的應力是否對密封也造成了不良影響。本部分的每一個試驗條件，都是破壞性的，僅適用于鑒定試驗。本部分適用于所有需要用戶進行引線成型處理的通孔式安裝器件和表面安裝器件。

GB/T 4937.15-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第15部分:通孔安裝器件的耐焊接熱

GB/T 4937的本部分規定了耐焊接熱的試驗方法，以確定通孔安裝的固態封裝器件承受波峰焊或烙鐵焊接引線時產生的熱應力的能力。為制定具有可重復性的標準試驗程序，選用試驗條件較易控制的浸焊試驗方法。本程序為確定器件組裝到電路板時對所需焊接溫度的耐受能力，要求器件的電性能不產生退化且內部連接無損傷。本試驗為破壞性試驗，可以用于鑒定、批接收及產品檢驗。本試驗與IEC 60068-2-20基本一致，但鑒于半導體器件的特殊要求，采用本部分的條款。

GB/T 4937.17-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第17部分:中子輻照

GB/T 4937的本部分是為了測定半導體器件在中子環境中性能退化的敏感性。本部分適用于集成電路和半導體分立器件。中子輻照主要針對軍事或空間相關的應用，是一種破壞性試驗。試驗目的如下：a)　檢測和測量半導體器件關鍵參數的退化與中子注量的關系；b)　確定規定的半導體器件參數在接受規定水平的中子注量輻射之后是否在規定的極限值之內(見第4章)。

GB/T 4937.18-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第18部分:電離輻射(總劑量)

GB/T 4937的本部分對已封裝的半導體集成電路和半導體分立器件進行<上標60>Co γ射線源電離輻射總劑量試驗提供了一種試驗程序。本部分提供了評估低劑量率電離輻射對器件作用的加速退火試驗方法。這種退火試驗對低劑量率輻射或者器件在某些應用情況下表現出時變效應的應用情形是比較重要的。本部分僅適用于穩態輻照，并不適用于脈沖型輻照。本部分主要針對軍事或空間相關的應用。本試驗可能會導致輻照器件的電性能產生嚴重退化，因而被認為是破壞性試驗。

GB/T 4937.19-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第19部分:芯片剪切強度

GB/T 4937的本部分用來確定將半導體芯片安裝在管座或其他基板上所使用的材料和工藝步驟的完整性(基于本試驗方法的目的，本部分中半導體芯片包括無源元件)。本部分適用于空腔封裝，也可作為過程監測。不適用于面積大于10 mm<上標2>的芯片，以及倒裝芯片和易彎曲基板。

GB/T 4937.20-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第20部分:塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

GB/T 4937的本部分規定了塑封表面安裝半導體器件(SMD)的耐焊接熱評價方法。該試驗為破壞性試驗。

GB/T 4937.21-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第21部分:可焊性

GB/T 4937的本部分規定了采用鉛錫焊料或無鉛焊料進行焊接的元器件封裝引出端的可焊性試驗程序。本試驗方法規定了通孔、軸向和表面安裝器件(SMDs)的“浸入和觀察”可焊性試驗程序，以及可選的SMDs板級安裝可焊性試驗程序，用于模擬在元器件使用時采用的焊接過程。本試驗方法也規定了老化條件，該條件為可選。除有關文件另有規定外，本試驗屬于破壞性試驗。