微電路檢測(cè)

微電路檢測(cè)項(xiàng)目報(bào)價(jià)？??解決方案？??檢測(cè)周期？??樣品要求？

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GB/T 2900.66-2004電工術(shù)語(yǔ) 半導(dǎo)體器件和集成電路

GB／T 2900的本部分界定了半導(dǎo)體技術(shù)、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體類型的通用術(shù)語(yǔ)。

GB/T 4937.4-2012半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法.第4部分：強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)（HAST）

GB/T 4937的本部分過(guò)電流強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)（HAST）方法，用于評(píng)價(jià)非氣密封裝半導(dǎo)體器件在潮濕的環(huán)境下的可靠性。

GB/T 4937.17-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第17部分:中子輻照

GB/T 4937的本部分是為了測(cè)定半導(dǎo)體器件在中子環(huán)境中性能退化的敏感性。本部分適用于集成電路和半導(dǎo)體分立器件。中子輻照主要針對(duì)軍事或空間相關(guān)的應(yīng)用，是一種破壞性試驗(yàn)。試驗(yàn)?zāi)康娜缦拢篴)　檢測(cè)和測(cè)量半導(dǎo)體器件關(guān)鍵參數(shù)的退化與中子注量的關(guān)系；b)　確定規(guī)定的半導(dǎo)體器件參數(shù)在接受規(guī)定水平的中子注量輻射之后是否在規(guī)定的極限值之內(nèi)(見(jiàn)第4章)。

GB/T 4937.18-2018半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第18部分:電離輻射(總劑量)

GB/T 4937的本部分對(duì)已封裝的半導(dǎo)體集成電路和半導(dǎo)體分立器件進(jìn)行<上標(biāo)60>Co γ射線源電離輻射總劑量試驗(yàn)提供了一種試驗(yàn)程序。本部分提供了評(píng)估低劑量率電離輻射對(duì)器件作用的加速退火試驗(yàn)方法。這種退火試驗(yàn)對(duì)低劑量率輻射或者器件在某些應(yīng)用情況下表現(xiàn)出時(shí)變效應(yīng)的應(yīng)用情形是比較重要的。本部分僅適用于穩(wěn)態(tài)輻照，并不適用于脈沖型輻照。本部分主要針對(duì)軍事或空間相關(guān)的應(yīng)用。本試驗(yàn)可能會(huì)導(dǎo)致輻照器件的電性能產(chǎn)生嚴(yán)重退化，因而被認(rèn)為是破壞性試驗(yàn)。

GB/T 4937.26-2023半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第26部分:靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試 人體模型(HBM)

本文件依據(jù)元器件和微電路對(duì)規(guī)定的人體模型(HBM)靜電放電(ESD)所造成損傷或退化的敏感度，建立了元器件和微電路的ESD測(cè)試、評(píng)價(jià)和分級(jí)程序。本文件的目的是建立一種能夠復(fù)現(xiàn)HBM失效的測(cè)試方法，并為不同類型的元器件提供可靠、可重復(fù)的HBM ESD測(cè)試結(jié)果，且測(cè)試結(jié)果不因測(cè)試設(shè)備而改變。重復(fù)性數(shù)據(jù)可以保證HBM ESD敏感度等級(jí)的準(zhǔn)確劃分及對(duì)比。半導(dǎo)體器件的ESD測(cè)試從本測(cè)試方法、機(jī)器模型(MM)測(cè)試方法(見(jiàn)IEC 60749-27)或IEC 60749(所有部分)中的其他ESD測(cè)試方法中選擇。除另有規(guī)定外，本測(cè)試方法為所選方法。

GB/T 8976-1996膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范

本總規(guī)范適用于膜集成電路和混合膜集成電路（F＆HFICs），包括GB/T16464-1996第Ⅳ章第2.4條中的無(wú)源和有源的F＆HFICs。 本規(guī)范適用于供用戶繼續(xù)加工的半成品F＆HFICs，也適用于裝有一個(gè)以上芯片的片式載體電路，而且這些芯片應(yīng)作為分立的單元用膜互連技術(shù)互連起來(lái)。

GB/T 9178-1988集成電路術(shù)語(yǔ)

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了集成電路的生產(chǎn)制造、工程應(yīng)用和貿(mào)易等中使用的基本術(shù)語(yǔ)。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于與集成電路有關(guān)的生產(chǎn)、工程、科研、教學(xué)和貿(mào)易等。

GB/T 12842-1991膜集成電路和混合膜集成電路術(shù)語(yǔ)

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了膜集成電路和混合膜集成電路的術(shù)語(yǔ)。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于膜集成電路和混合膜集成電路的生產(chǎn)、使用、科研、教學(xué)和貿(mào)易。

GB/T 13842-2017摻釹釔鋁石榴石激光棒

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了摻釹釔鋁石榴石(Nd：Y<下標(biāo)3>Al<下標(biāo)5>O<下標(biāo)12>，簡(jiǎn)稱Nd：YAG)激光棒的技術(shù)要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和交貨準(zhǔn)備等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于摻釹釔鋁石榴石激光棒。

GB/T 14862-1993半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測(cè)試方法

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻的測(cè)試方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體集成電路陶瓷、金屬、塑料封裝結(jié)到外殼熱阻的測(cè)量。

GB/T 16464-1996半導(dǎo)體器件 集成電路 第1部分;總則

IEC748給出了有關(guān)集成電路的標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)與IEC747-1一起使用。

GB/T 18471-2001VXI總線系統(tǒng)規(guī)范

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定與VME總線模式儀器兼容的VXI（VMEbus Extension for Instrumentation)總線，目的是為設(shè)計(jì)與系統(tǒng)相兼容的儀器的設(shè)計(jì)者建立應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。 本標(biāo)準(zhǔn)定義了一組規(guī)則和推薦內(nèi)容，用以構(gòu)成與VXI總線的接口。規(guī)范包括了從簡(jiǎn)單的基本硬件設(shè)計(jì)，如板的尺寸，到推薦的通信協(xié)議。

GB/T 19403.1-2003半導(dǎo)體器件 集成電路 第11部分;第1篇：半導(dǎo)體集成電路 內(nèi)部目檢 (不包括混合電路)

進(jìn)行內(nèi)部目檢的目的是檢驗(yàn)集成電路的內(nèi)部材料、結(jié)構(gòu)和工藝，驗(yàn)證與適用的規(guī)范要求的一致性。 通常應(yīng)在封帽或密封之前對(duì)器件進(jìn)行內(nèi)部目檢。以發(fā)現(xiàn)可能導(dǎo)致器件在正常使用時(shí)失效的內(nèi)部缺陷并剔除相應(yīng)器件。本試驗(yàn)也可按抽樣方式在封帽之前使用，以確定承制方對(duì)半導(dǎo)體器件質(zhì)量控制和操作程序的有效性。

GB/T 24714-2009氧氣濃縮器

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了機(jī)載分子篩制氧氧氣系統(tǒng)用氧氣濃縮器的術(shù)語(yǔ)和定義、要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸及貯存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于機(jī)載分子篩制氧氧氣系統(tǒng)用氧氣濃縮器的設(shè)計(jì)、制造和驗(yàn)收等。

GB/T 33905.3-2017智能傳感器 第3部分:術(shù)語(yǔ)

GB/T 33905.3的本部分界定了智能傳感器通用術(shù)語(yǔ)、分類術(shù)語(yǔ)、制造技術(shù)術(shù)語(yǔ)、功能術(shù)語(yǔ)、材料術(shù)語(yǔ)和性能特性及相關(guān)術(shù)語(yǔ)。本部分適用于智能傳感器的生產(chǎn)、科學(xué)研究、教學(xué)以及其他有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域。對(duì)于某些使用微機(jī)電系統(tǒng)部件構(gòu)成的智能傳感器(如化學(xué)分析儀、流量計(jì)等)以及預(yù)期在特殊環(huán)境(如爆炸氣體環(huán)境)使用的智能傳感器，還需參照其他相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T 37034.2-2018航空電子過(guò)程管理 防偽 第2部分:來(lái)源于非授權(quán)經(jīng)銷商電子元器件的管理

GB/T 37034的本部分規(guī)定了避免在航空航天、國(guó)防及高可靠領(lǐng)域使用購(gòu)自于授權(quán)經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)之外的可能為假冒偽造、回收和欺騙元器件的要求。本部分僅適用于減少無(wú)合理或?qū)嶋H可替代元器件時(shí)的損失。本部分適用于航空航天、國(guó)防及高可靠領(lǐng)域，使用者也可將其用于其他高性能和高可靠領(lǐng)域。

GB/T 37079-2018設(shè)備可靠性 可靠性評(píng)估方法

本標(biāo)準(zhǔn)描述了在產(chǎn)品早期階段實(shí)施的可靠性評(píng)估方法，主要是基于元件和模塊現(xiàn)場(chǎng)使用和試驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行。適用于需要執(zhí)行關(guān)鍵任務(wù)，安全性要求高，商業(yè)價(jià)值大，集成度和復(fù)雜度高的產(chǎn)品。本標(biāo)準(zhǔn)包含以下信息：開(kāi)展早期可靠性評(píng)估的原因、實(shí)施程序和應(yīng)用場(chǎng)合。后，標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)介紹了開(kāi)展可靠性評(píng)估的方法以及用于可靠性評(píng)估的必備數(shù)據(jù)，同時(shí)采用了基于失效物理的方法來(lái)評(píng)估產(chǎn)品的耐久性(壽命或者耗損)。本標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)討論了三種可靠性評(píng)估方法：——相似性分析法；——耐久性分析法；——數(shù)據(jù)手冊(cè)預(yù)計(jì)法。

GB 51037-2014微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)備安裝工程施工及驗(yàn)收規(guī)范

本規(guī)范適用于新建、改建及擴(kuò)建的微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)備的安裝工程施工、調(diào)試、試運(yùn)行及驗(yàn)收。

GB/T 51198-2016微組裝生產(chǎn)線工藝設(shè)計(jì)規(guī)范

本規(guī)范適用于混合集成電路組裝封裝工藝的微組裝生產(chǎn)線新建、擴(kuò)建和技術(shù)改造。

GB/Z 31478-2015航空電子過(guò)程管理 電子元器件管理計(jì)劃的制定

本指導(dǎo)性技術(shù)文件規(guī)定了編制航空電子元器件管理計(jì)劃(ECMP)的要求，ECMP應(yīng)向用戶和管理機(jī)構(gòu)保證，該計(jì)劃責(zé)任人設(shè)備中使用的所有電子元器件選擇和使用過(guò)程可控，并滿足設(shè)備終使用要求，同時(shí)完成第4章中的具體技術(shù)要求。本指導(dǎo)性技術(shù)文件適用于航空電子設(shè)備制造商。