晶硅材料檢測

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GB/T 1557-2018硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

本標準規定了采用紅外光譜法測定硅單晶晶體中間隙氧含量的方法。本標準適用于室溫電阻率大于0.1 Ω?cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω?cm的P型硅單晶中間隙氧含量的測定。以常溫紅外設備測試時，氧含量(原子數)測試范圍從1×10<上標16> cm<上標-3>到硅中間隙氧的大固溶度；以低溫紅外設備測試時，氧含量(原子數)的測試范圍從0.5×10<上標15> cm<上標-3>到硅中間隙氧的大固溶度。

GB/T 2296-2001太陽電池型號命名方法

本標準規定了太陽電池（包括單體、組件、板、子方陣、方陣）型號命名方法。 本標準適用于同質結、異質結、肖特基勢壘及光電化學型的太陽電池。

GB/T 2881-2014工業硅

本標準規定了工業硅的要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存和訂貨單(或合同)的內容。本標準適用于礦熱爐內炭質還原劑與硅石熔煉所生產的工業硅,主要用于配制合金、制取多晶硅和生產有機硅等。

GB/T 2900.5-2013電工術語 絕緣固體、液體和氣體

本部分規定了電氣絕緣固體、液體和氣體的通用術語。包括絕緣材料與系統的電性能、物理性能、化學性能、材料工藝、特定絕緣產品等術語。本部分適用于電氣絕緣固體、液體和氣體。

GB/T 3191-2019鋁及鋁合金擠壓棒材

本標準規定了鋁及鋁合金擠壓棒材的要求、試驗方法、檢驗規則和標志、包裝、運輸、貯存及質量證明書與訂貨單(或合同)內容。本標準適用于鋁及鋁合金的擠壓圓棒、方棒和六角棒(以下簡稱“棒材”)。

GB/T 4059-2018硅多晶氣氛區熔基磷檢驗方法

本標準規定了多晶硅中基磷含量的檢驗方法。本標準適用于在硅芯上沉積生長的多晶硅棒中基磷含量(原子數)的測定，測定范圍為0.01×10<上標13> cm<上標-3>~500×10<上標13> cm<上標-3>。

GB/T 4060-2018硅多晶真空區熔基硼檢驗方法

本標準規定了多晶硅中基硼含量的測試方法。本標準適用于在硅芯上沉積生長的多晶硅棒中基硼含量的測定。基硼含量(原子數)測定范圍為0.01×10<上標13> cm<上標-3>~5×10<上標15> cm<上標-3>。

GB/T 4475-1995敏感元器件術語

本標準規定了敏感元器件的術語及定義，包括熱（溫）敏、光敏、壓敏、濕敏、氣敏、磁敏、力敏、離子敏、生物敏、放射線敏和纖維光學敏感元器件11個部分。 本標準適用于敏感元器件的生產、使用、科研和教學等方面，作為統一技術用語的依據。

GB/T 4774-2013過濾與分離 名詞術語

本標準規定了連續相為液相的過濾與分離過程基礎及相關設備的構造、性能通用術語。本標準適用于液固分離原理與過程,物料性質,預處理技術(包括增濃、澄清、沉降、氣浮、凝聚與絮凝、助濾技術等),過濾介質,后處理技術(包括洗滌,脫液等),膜過程;以及離心機,分離機,離心萃取設備,過濾機,壓榨過濾設備,過濾器,膜過濾,氣浮設備,旋流器等機械、設備與零部件及有關操作過程控制、機械結構等的設計、生產;也適用于過濾與分離過程與設備的科研、教學等領域。本標準不包括實驗室用離心機及氣體過濾器。

GB/T 6492-1986航天用標準太陽電池

本標準適用于單晶硅太陽電池。供測試航天用硅太陽電池的單體、組件、組合板、方陣時，校準或確定測試光源在被測太陽電池表面所建立的總輻照度用。

GB/T 6495.10-2012光伏器件.第10部分:線性特性測量方法

GB/T 6495的本部分規定了以測試參數來確定光伏器件的任意參數的線性特性程序,主要供校準實驗室、組件生產廠家和系統設計者使用。 通過采用線性方程可以實現對光伏組件和系統特性的評價,也可實現從一組溫度、輻照度條件下的特性推算出另一組條件下的特性(見GB/T 6495.4和GB/T 18210)。本部分制定了確保線性方程得到滿意結果的線性特性要求和測試方法。這些要求限定了可以應用該線性方程的溫度及輻照度的變化范圍。 本部分描述的測量方法適用于所有的光伏器件,且可以推廣應用于在同樣技術下的樣品或可比較器件上。其應在線性器件所需的全部測試和修正程序之前使用。本部分所用的方法與GB/T 6495.4中確定的線性函數類似,此線性(直線)函數是采用小二乘擬合計算法擬合一組數據點得到的。來自這一函數的數據變化也可以計算出來,并將線性度的偏差用允許的變化百分比來表示。 當滿足下述所關注的溫度與輻照度范圍條件時,才考慮一個光伏器件的線性特性。典型的小溫度范圍在25℃～60℃,小輻照度范圍在700W·m-2～1000W·m-2。 a) 對于相對于輻照度變化的短路電流曲線,歸一化斜率標準偏差(σS/m)小于0.02; b) 對于相對于輻照度對數變化的開路電壓曲線,歸一化斜率標準偏差(σS/m)小于0.05; c) 對于相對于溫度變化的開路電壓和短路電流曲線,歸一化斜率標準偏差(σS/m)小于0.1; d) 在特定電壓下的一定波長范圍的相對光譜響應變化小于5%。 對這些和其他性能參數,確定它們的線性特性的通用程序在第4章～第6章中。

GB/T 6565-2015職業分類與代碼

本標準規定了我國職業的分類結構、類別、代碼及說明。本標準適用于按職業分類的各種普查、調查統計及行政管理和國內外信息交流等。

GB/T 6619-2009硅片彎曲度測試方法

本標準規定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片彎曲度的接觸式測量方法。本標準適用于測量直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于250的圓形硅片的彎曲度。本測試方法的目的是用于來料驗收和過程控制。本標準也適用于測量其他半導體圓片彎曲度。

GB/T 6620-2009硅片翹曲度非接觸式測試方法

本標準規定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片翹曲度的非接觸式測試方法。本標準適用于測量直徑大于50mm,厚度大于180μm的圓形硅片。本標準也適用于測量其他半導體圓片的翹曲度。本測試方法的目的是用于來料驗收或過程控制。本測試方法也適用于監視器件加工過程中硅片翹曲度的熱化學效應。

GB/T 6621-2009硅片表面平整度測試方法

本標準規定了用電容位移傳感器測定硅拋光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蝕片也可參照此方法。本標準適用于測量標準直徑76mm,100mm,125mm,150mm,200mm,電阻率不大于200Ω?cm厚度不大于1000μm的硅拋光片的表面平整度和直觀描述硅片表面的輪廓形貌。

GB/T 6624-2009硅拋光片表面質量目測檢驗方法

本標準規定了在一定光照條件下,用目測檢驗單晶拋光片表面質量的方法。本標準適用于硅拋光片表面質量檢驗。外延片表面質量目測檢驗也可參考本方法進行。

GB/T 8411.1-2008陶瓷和玻璃絕緣材料.第1部分：定義和分類

GB／T 8411的本部分適用于電絕緣用陶瓷、玻璃陶瓷、玻璃一云母和玻璃材料，本部分給出所用術語的定義，并按化學成分、品質特性及應用范圍將不同類型的材料以列表方式按組分類。

GB/T 9532-2012壓電單晶材料型號命名方法

本標準規定了聲表面波和聲體波器件用壓電單晶硅材料型號命名方法。本標準適用于聲表面波和聲體波器件用壓電單晶材料型號命名方法。本標準不適用于人造石英晶體材料型號命名方法。

GB/T 10067.410-2014電熱裝置基本技術條件 第410部分:單晶爐

GB/T 10067的本部分規定了對TDR晶體爐的術語、產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸和貯存。本部分適用于直拉法拉制半導體硅、鍺等單晶的單晶爐。

GB/T 10067.414-2018電熱和電磁處理裝置基本技術條件 第414部分:工業寶石爐

GB/T 10067的本部分規定了工業寶石爐的產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸和貯存及訂購與供貨。本部分適用于高真空或在保護氣氛低正壓條件下采用不同長晶方法(如提拉法、泡生法、導模法、熱交換法、溫度梯度法、坩堝下降法等)生長寶石晶體的工業寶石爐，其他工業寶石爐也可參照使用。