數字集成電路存儲器檢測

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GB/T 2900.66-2004電工術語 半導體器件和集成電路

GB／T 2900的本部分界定了半導體技術、半導體設計和半導體類型的通用術語。

GB/T 3431.2-1986半導體集成電路文字符號 引出端功能符號

本標準規定了半導體集成電路（以下簡稱器件）引出端功能的文字符號。

GB/T 12274.1-2012有質量評定的石英晶體振蕩器.第1部分：總規范

GB/T 12274的本部分規定了采用能力批準程序或鑒定批準程序評定質量的石英晶體振蕩器的試驗方法和通用性要求。本部分適用于采用能力批準程序或鑒定批準程序評定質量的石英晶體振蕩器。

GB/T 17574-1998半導體器件 集成電路 第2部分;數字集成電路

本標準給出了下列各類或各分類器件的標準： --組合和時序數字電路； --存儲器集成電路； --微處理器集成電路； --電荷轉移器件。

GB/T 17574.9-2006半導體器件.集成電路.第2-9部分:數字集成電路.紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細規范

IEC電子元器件質量評定體系遵循IEC的章程，并在IEC的授權下進行工作。該體系的目的是確定質量評定程序，以這種方式使一個參加國按有關規范要求放行的電子元器件無需進一步試驗而為其他所有參加國同樣接受。

GB/T 17574.10-2003半導體器件 集成電路 第2-10部分;數字集成電路集成電路動態讀/寫存儲器空白詳細規范

IEC電子元器件質量評定體系遵循IEC的章程，并在IEC的授權下進行工作。該體系的目的是確定質量評定程序，以這種方式使一個參加國按有關規范要求放行的電子元器件無需進一步試驗而為其他所有參加國同樣接受。 本空白詳細規范是半導體器件的一系列空白詳細規范之一，并且與下列標準一起使用。

GB/T 17574.11-2006半導體器件 集成電路 第2-11部分:數字集成電路 單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲器 空白詳細規范

本部分半導體器件集成電路第2-11部分：數字集成電路 單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲器 空白詳細規范，適用于：標志和訂貨資料、應用說明、功能說明、極限值、工作條件、電特性、編程等。

GB/T 17574.20-2006半導體器件集成電路 笫2-20部分:數字集成電路低壓集成電路族規范

本規范的目的是給出低壓集成電路不同分組的接口規范，包括電源電壓值、容差和壞情況下的輸入、輸出電壓極限值。 同時給出每類標稱電源電壓的兩種接口規范：正常范圍和寬范圍。正常范圍是依據工業標準制定的，典型容差大約是10%。寬范圍是擴展到一個較寬的范圍，可以使電池繼續工作的實際值。

GB/T 20438.2-2017電氣/電子/可編程電子安全相關系統的功能安全 第2部分:電氣/電子/可編程電子安全相關系統的要求

GB/T 20438的本部分a)　在使用前，應充分理解GB/T 20438.1，GB/T 20438.1提供了實現功能安全的總體框架；b)　適用于GB/T 20438.1定義的安全相關系統，安全相關系統至少包含一種電氣、電子或可編程電子組件；c)　適用于E/E/PE安全相關系統中的所有組件(包括傳感器、執行器和操作員界面)；d)　規定了如何按照GB/T 20438.1定義的E/E/PE系統安全要求規范(由E/E/PE系統安全功能要求規范和E/E/PE系統安全完整性要求規范組成)，開發出E/E/PE系統設計要求規范；e)　規定了在E/E/PE安全相關系統的設計和制造過程中(即建立E/E/PE系統安全生命周期模型)除軟件外所進行活動的要求，軟件要求在GB/T 20438.3(見圖2~圖4)中給出；這些要求包含了用以避免和控制故障和失效發生的技術和措施的應用，并被劃分成與安全完整性等級相對應的不同等級；f)　規定了執行E/E/PE安全相關系統的安裝、調試以及終安全確認所需的信息；g)　不適用于E/E/PE安全相關系統的運行和維護階段，這方面內容在GB/T 20438.1中給出。但是，本部分為用戶提供了有關E/E/PE安全相關系統的運行和維護所需的信息和規程的準備要求；h)　規定了對E/E/PE安全相關系統進行各種修改的各方應滿足的要求；i)　不適用于符合IEC 60601的醫療設備。GB/T 20438.1、GB/T 20438.2、GB/T 20438.3和GB/T 20438.4是基礎的安全標準，雖然它不是針對低復雜的E/E/PE安全相關系統(見GB/T 20438.4—2017的3.4.3)，但作為基礎安全標準，各技術委員會可以在IEC指南104和ISO/IEC指南51的指導下制定相關標準時使用。GB/T 20438.1、GB/T 20438.2、GB/T 20438.3和GB/T 20438.4也可作為獨立標準來使用。GB/T 20438的橫向安全功能不適用于在IEC 60601系列指導下的醫療設備。各技術委員會的責任之一，是在其標準的起草工作中盡可能使用基礎的安全標準。在本部分中，本基礎安全標準中的要求、測試方法或測試條件只有在這些技術委員會起草的標準中已明確引用或包含時適用。圖1表示了GB/T 20438的整體框架，同時指出了本部分在實現E/E/PE安全相關系統的功能安全過程中的作用。GB/T 20438.6—2017的附錄A詳述了GB/T 20438.2和GB/T 20438.3的應用。

GB/T 20515-2006半導體器件 集成電路 第5部分:半定制集成電路

本標準規了下列集成電路（IC）分類體系樹（見圖1）中有關半定制集成電路子類的標準。

GB/T 29545-2013機床數控系統 可靠性設計

本標準規定了機床數控系統可靠性設計的基本流程、方法以及評審內容和程序。本標準適用于機床數控系統(以下簡稱“數控系統”)。其他工業機械設備數控系統的可靠性設計可參照本標準。

GB/T 35003-2018非易失性存儲器耐久和數據保持試驗方法

本標準規定了非易失性存儲器耐久和數據保持試驗的方法。本標準適用于電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)、快閃存儲器(Flash)以及內嵌上述存儲器的集成電路(以下簡稱器件)。

GB/T 35008-2018串行NOR型快閃存儲器接口規范

本標準規定了串行或非(NOR)型快閃存儲器(以下稱為器件)的物理接口、存儲陣列架構、指令定義和參數表說明等。本標準適用于地址為24位的串行NOR型快閃存儲器的設計和使用。

GB/T 35009-2018串行NAND型快閃存儲器接口規范

本標準規定了串行與非(NAND)型快閃存儲器(以下稱為器件)的物理接口、存儲陣列架構、指令定義和參數表說明等。本標準適用于串行NAND型快閃存儲器的設計和使用。

GB/T 36474-2018半導體集成電路 第三代雙倍數據速率同步動態隨機存儲器(DDR3 SDRAM)測試方法

本標準規定了半導體集成電路第三代雙倍數據速率同步動態隨機存儲器(DDR3 SDRAM)功能驗證和電參數測試的方法。本標準適用于半導體集成電路領域中第三代雙倍數據速率同步動態隨機存儲器(DDR3 SDRAM)功能驗證和電參數測試。

GB/T 36477-2018半導體集成電路 快閃存儲器測試方法

本標準規定了半導體集成電路快閃存儲器電參數、時間參數和存儲單元功能測試的基本方法。本標準適用于半導體集成電路領域中快閃存儲器電參數、時間參數和存儲單元功能的測試。

GB/T 50780-2013電子工程建設術語標準

1.0.1為規范電子工程建設的基本術語及其定義,實現術語標準化,制定本標準。1.0.2本標準適用于電子工程建設的規劃、咨詢、設計、工程監理、工程管理等工程服務以及教學、科研及其他相關領域。1.0.3電子工程建設文件、圖紙、科技文獻使用的術語,除應符合本標準外,尚應符合現行有關標準的規定。

HB 6632-1992航空電氣圖用二進制邏輯單元圖形符號

本標準規定了GB 4728.12（二進制邏輯單元）中未列入的電氣圖用二進制邏輯單元圖形符號，以及復雜功能邏輯單元圖形符號的繪制規則。　　本標準和GB 4728.12配套使用，適用于維持有關航空電氣圖用二進制邏輯單元圖形符號。

HB 6636-2006航空電氣系統及設備的參照代號

本標準規定了航空電氣系統及設備內項目的參照代號、端子代號等的構成和分類碼。 本標準適用于航空產品的電氣簡圖、接線表、元件表、說明書及印制板圖等電氣技術文件，用以標識航空電氣系統及設備內的項目。也可用于將參照代號或其一部分表示在電氣設備裝置和元器件上方或近旁，以標明其功能、名稱、位置等。

HB/Z 298-1997民用飛機航空電子設備設計指南

本標準規定了民用飛機航空電子設備（以下簡稱航空電子設備）互換性、安裝、硬件和軟件設計以及設備測試等方面的要求。　　本標準適用于數字式航空電子設備，包括系統、分系統、設備和ＬＲＵ（Ｌｉｎｅ　Ｒｅｐｌａｃｅａｂｌｅ　Ｕ-ｎｉｔ，外場可更換單元）。在應用本標準時，可根據具體情況對其內容進行剪裁，以滿足特定飛機對航空電子設備的特殊要求。