場效應晶體管增強型檢測

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GB/T 2900.66-2004電工術語 半導體器件和集成電路

GB／T 2900的本部分界定了半導體技術、半導體設計和半導體類型的通用術語。

GB/T 4586-1994半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管

通常，本標準需要與IEC 747-1-1983《半導體器件 分立器件和集成電路 第1部分：總則》一起使用。在IEC 747-1中，可找到下列的全部基礎資料： --術語； --文字符號； --基本額定值和特性； --測試方法；

GB/T 6219-1998半導體器件 分立器件 第8部分;場效應晶體管 第一篇 1GHz、5W以下的單柵場效應晶體管空白詳細規范

本空白詳細規范規定了制定1GHz、5W以下的單柵楊效應晶體管詳細規范的基本原則，制定該范圍內的所有詳細規范與本空白詳細規范一致。 本空白規范是與GB/T 4589.1-1989《半導體器件 分立器件和集成電路總規范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半導體器件 分立器件規范》（IEC 747.11：1985）有關的一系列空白詳細規范中的一個。

GB/T 11499-2001半導體分立器件文字符號

本標準規定了半導體分立器件主要的文字符號。本標準適用于編寫半導體分立器件有關標準和有關技術資料。

GB/T 15449-1995管殼額定開關用場效應晶體管 空白詳細規范

本空白詳細規范規定了制訂管殼額定開頭用場效應晶體詳細規范的基本原則，制訂該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致。

GB/T 21039.1-2007半導體器件 分立器件 第4-1部分:微波二極管和晶體管 微波場效應晶體管空白詳細規范

本空白詳細規范是半導體器件的一系列空白詳細規范之一，并應與下列標準一起使用。