鍺檢測

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GB/T 1550-2018非本征半導體材料導電類型測試方法

本標準規定了非本征半導體材料導電類型的測試方法。本標準適用于硅、鍺非本征半導體材料導電類型的測試，其他非本征半導體材料可參照本標準測試。本標準方法能保證對均勻的同一導電類型的材料測得可靠結果；對于導電類型不均勻的材料，可在其表面上測出不同導電類型區域。本標準不適用于分層結構材料(如外延片)導電類型的測試。

GB/T 1553-2023硅和鍺體內少數載流子壽命的測定 光電導衰減法

本文件規定了非本征硅單晶和鍺單晶體內載流子復合過程中非平衡少數載流子壽命的光電導衰減測試方法。本文件適用于非本征硅單晶和鍺單晶中非平衡少數載流子壽命的測試。直流光電導衰減-脈沖光法可測試具有特殊尺寸的長方體或圓柱體樣品，測試硅單晶的短壽命值為50 μs，測試鍺單晶短壽命值為10 μs。高頻光電導衰減法可測試棒狀或塊狀樣品，測試硅單晶和鍺單晶的短壽命值為10 μs。

GB/T 1555-2023半導體單晶晶向測定方法

本文件描述了X射線衍射定向和光圖定向測定半導體單晶晶向的方法。本文件適用于半導體單晶晶向的測定。X射線衍射定向法適用于測定硅、鍺、砷化鎵、碳化硅、氧化鎵、氮化鎵、銻化銦和磷化銦等大致平行于低指數原子面的半導體單晶材料的表面取向；光圖定向法適用于測定硅、鍺等大致平行于低指數原子面的半導體單晶材料的表面取向。

GB/T 2296-2001太陽電池型號命名方法

本標準規定了太陽電池（包括單體、組件、板、子方陣、方陣）型號命名方法。 本標準適用于同質結、異質結、肖特基勢壘及光電化學型的太陽電池。

GB/T 3049-2006工業用化工產品 鐵含量測定的通用方法1，10 菲啰啉分光光度法

本標準規定了測定化工產品中鐵含量測定的通用方法1,10-菲啰啉分光光度法。 本標準描述了溶液中鐵含量的測定技術。在制備試驗溶液時，應參考與所分析產品有關的標準對本方法進行必要的修改使其適合產品的測定。

GB/T 3147-2006信息處理未穿孔紙帶

本標準規定了信息處理未穿孔紙帶分類、要求、試驗方法、抽樣、標志、包裝、運輸和貯存等。 本標準適用于辦公、郵電、通訊等信息處理用紙。

GB/T 3253.4-2009銻及三氧化二銻化學分析方法.銻中硫量的測定.燃燒中和法

GB/T 3253的本部分規定了銻中硫量的測定方法。本部分適用于銻中硫量的測定。測定范圍：0.0020%~0.10%。

GB/T 4326-2006非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法

本標準規定的測量方法適用于測量非本征半導體單晶材料的霍爾系數、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃度。 本標準規定的測量方法僅在有限的范圍內對鍺、硅、砷化鎵和磷化鎵單晶材料進行了實驗室測量，但該方法也可適用于其他半導體單晶材料，一般情況下，適用于室溫電阻率高達10<上標4>Ω?cm半導體單晶材料的測試。

GB/T 4475-1995敏感元器件術語

本標準規定了敏感元器件的術語及定義，包括熱（溫）敏、光敏、壓敏、濕敏、氣敏、磁敏、力敏、離子敏、生物敏、放射線敏和纖維光學敏感元器件11個部分。 本標準適用于敏感元器件的生產、使用、科研和教學等方面，作為統一技術用語的依據。

GB/T 4960.6-2008核科學技術術語.第6部分：核儀器儀表

GB/T 4960的本部分規定了核輻射探測器、通用核儀器、核設施儀表和控制、輻射防護儀器及核輻射應用儀器等核儀器的基本術語和定義。本部分適用于有關核儀器標準、合同、報告和技術規格書等技術文件的編寫，文獻翻譯以及技術交流等。

GB/T 5009.127-2003食品包裝用聚酯樹脂及其成型品中鍺的測定

本標準規定了經四氯化碳萃取、苯芴酮絡合分光光度法測定鍺。 本標準適用于食品包裝用聚酯樹脂及其成型品中鍺的測定。 本方法的檢出限為0.020μg/mL。

GB/T 5009.151-2003食品中鍺的測定

本方法規定了采用氫化物發生原子熒光光譜分析技術測定鍺的分析方法。 本方法適用于各類食品中鍺的測定及保健飲品中鍺-132和無機鍺的分別測定。 本方法檢出限為3.5 ng/mL；標準曲線線性范圍為0ng/mL～100ng/mL。測定試樣中總鍺時，方法回收率為84.0％～93.2%。測定保健飲品中鍺-132和無機鍺時，方法回收率為94.6％～103.4％。

GB/T 5009.171-2003保健食品中超氧化物歧化酶(SOD)活性的測定

本標準規定了食品中超氧化物歧化酶（SOD）活性的測定方法。 本標準適用于各類食品中超氧化物歧化酶（SOD）活性的測定。 本方法第一法檢出限1.17U/mL；第二法檢出限0.033U/mL。

GB 5009.268-2016食品安全標準 食品中多元素的測定

本標準規定了食品中多元素測定的電感耦合等離子體質譜法(ICP-MS)和電感耦合等離子體發射光譜法(ICP-OES)。第一法適用于食品中硼、鈉、鎂、鋁、鉀、鈣、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、砷、硒、鍶、鉬、鎘、錫、銻、鋇、汞、鉈、鉛的測定；第二法適用于食品中鋁、硼、鋇、鈣、銅、鐵、鉀、鎂、錳、鈉、鎳、磷、鍶、鈦、釩、鋅的測定。

GB/T 5238-2019鍺單晶和鍺單晶片

本標準規定了鍺單晶和鍺單晶片的要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書及訂貨單(或合同)內容。本標準適用于制備半導體器件、激光器組件、紅外光學部件用的鍺單晶和鍺單晶片。

GB/T 5252-2020鍺單晶位錯密度的測試方法

本標準規定了鍺單晶位錯密度的測試方法。本標準適用于{111}、{100}和{113}面鍺單晶位錯密度的測試，測試范圍為0 cm<上標-2>~100 000 cm<上標-2>。

GB/T 6163-2011調頻廣播接收機測量方法

本標準規定了調頻廣播接收機的測量方法。本標準適用于工作頻率為87 MHz～108 MHz的單聲和立體聲調調頻廣播接收機（包括調諧器、汽車收音機、組合機中的調頻收音部分；以及專用調頻廣播接收機—以上統稱接收機）進行電聲性能測量的標準測量方法。

GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。 本標準適用于測量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量襯底同型或反型的硅片外延層的電阻率，測量范圍：10<上標-3>Ω·cm～10<上標2> Ω·cm。

GB/T 7167-2008鍺γ射線探測器測試方法

本標準規定了鍺γ射線探測器的性能測試方法。本標準適用于高純鍺γ射線探測器的性能測試，也適用于高純鍺X射線探測器和鍺（鋰）探測器的性能測試。

GB/T 7497.1-2008微處理器系統總線.8位及16位數據(MULTIBUS I) 第1部分: 電氣與定時規范的功能描述

本標準適用于互連的數據處理、數據存儲和外圍控制設備等緊耦合配置的接口系統部件。本接口系統具有允許各種系統部件交互作用所必須的信號,它允許存儲器和I/O的數據傳送、直接存儲器存取、中斷產生等。本標準對構成該系統總線的所有要素及特性均提供詳細描述。本標準是為那些想要評價或設計與本系統總線結構兼容產品的用戶制定的。為此,本部分詳細的說明了必要的信號定義、定時以及電氣規范。本標準僅涉及微型計算機設備的接口特性,而不涉及模塊的設計規范、性能要求和安全要求。