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太陽(yáng)能電池用多晶硅片檢測(cè)項(xiàng)目報(bào)價(jià)???解決方案???檢測(cè)周期???樣品要求? |
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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用多晶硅片(以下簡(jiǎn)稱硅片)的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、質(zhì)量證明書及訂貨單(或合同)內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽(yáng)能電池用鑄造多晶硅片(包括類單晶硅片)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅片(以下簡(jiǎn)稱硅片)翹曲度和波紋度的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅片翹曲度和波紋度的測(cè)試。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅片(以下簡(jiǎn)稱硅片)的表面粗糙度及切割線痕的接觸式或非接觸式輪廓測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于通過(guò)線切工藝加工生產(chǎn)的單晶和多晶硅片。如果需要適用于其他產(chǎn)品,則需相關(guān)各方協(xié)商同意。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅片(以下簡(jiǎn)稱硅片)厚度及總厚度變化的分立式和掃描式測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于符合GB/T 26071、GB/T 29055規(guī)定尺寸的硅片的厚度及總厚度變化的測(cè)量,分立式測(cè)量方法適用于接觸式及非接觸式測(cè)量,掃描式測(cè)量方法只適用于非接觸式測(cè)量。在測(cè)量?jī)x器準(zhǔn)許的情況下,本標(biāo)準(zhǔn)也可用于其他規(guī)格硅片的厚度及總厚度變化的測(cè)量。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片訂貨單的格式要求和使用。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶研磨片、硅單晶拋光片、硅單晶外延片、太陽(yáng)能電池用硅單晶切割片、太陽(yáng)能電池用多晶硅片的訂貨單格式,其他半導(dǎo)體材料的訂貨單可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。
1.0.1為規(guī)范電子工程建設(shè)的基本術(shù)語(yǔ)及其定義,實(shí)現(xiàn)術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)化,制定本標(biāo)準(zhǔn)。1.0.2本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子工程建設(shè)的規(guī)劃、咨詢、設(shè)計(jì)、工程監(jiān)理、工程管理等工程服務(wù)以及教學(xué)、科研及其他相關(guān)領(lǐng)域。1.0.3電子工程建設(shè)文件、圖紙、科技文獻(xiàn)使用的術(shù)語(yǔ),除應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)外,尚應(yīng)符合現(xiàn)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅片電阻率在線測(cè)試的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)試邊長(zhǎng)大于25 mm、厚度為0.1 mm~0.5 mm的太陽(yáng)能電池用硅片(簡(jiǎn)稱硅片)的電阻率。測(cè)試范圍為1.0×10<上標(biāo)-3> Ω?cm~2×10<上標(biāo)2> Ω?cm。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅片(以下簡(jiǎn)稱硅片)尺寸及電學(xué)表征的非接觸在線測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽(yáng)能電池用硅片的尺寸及電學(xué)表征在線測(cè)試,如應(yīng)用于其他樣品或參數(shù),需經(jīng)相關(guān)各方協(xié)商。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅片(以下簡(jiǎn)稱硅片)和電池片的在線光致發(fā)光分析方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽(yáng)能電池用硅片和電池片,在采用本標(biāo)準(zhǔn)提供的測(cè)試方法測(cè)試其他類型的樣品之前,需由供需雙方協(xié)商確定。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用硅片(以下簡(jiǎn)稱硅片)微裂紋缺陷的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽(yáng)能電池用硅片微裂紋缺陷的測(cè)試,也可適用于硅片裂紋、雜質(zhì)和孔洞缺陷的測(cè)試。在采用本標(biāo)準(zhǔn)提供的測(cè)試方法測(cè)試其他類型的樣品之前,需由供需雙方協(xié)商。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片的包裝。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶拋光片、外延片、SOI等硅片的潔凈包裝、硅單晶研磨片(簡(jiǎn)稱硅研磨片)包裝和太陽(yáng)能電池用硅片包裝,使其在運(yùn)輸、貯存過(guò)程中避免再次沾污和破碎。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非本征半導(dǎo)體材料中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)試方法,包含穩(wěn)態(tài)光電壓法、恒定光通量法和數(shù)字示波器記錄法。\r本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征半導(dǎo)體材料,如硅單晶片或相同導(dǎo)電類型重?fù)揭r底上沉積的、已知電阻率的同質(zhì)外延層中的少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)試,測(cè)試樣品(外延層)的厚度大于擴(kuò)散長(zhǎng)度的4倍。本標(biāo)準(zhǔn)可測(cè)試樣品的電阻率和載流子壽命的極限尚未確定,但已對(duì)電阻率0.1Ω·cm~50Ω·cm、載流子壽命短至2ns的P型和N型硅樣品進(jìn)行了測(cè)試。本標(biāo)準(zhǔn)還可通過(guò)測(cè)試擴(kuò)散長(zhǎng)度后計(jì)算出硅中的鐵含量。\r本標(biāo)準(zhǔn)也可用于測(cè)試其他半導(dǎo)體材料,如砷化鎵樣品(需同時(shí)調(diào)整相應(yīng)的光照波長(zhǎng)(能量)范圍和樣品制備工藝)等的有效擴(kuò)散長(zhǎng)度,評(píng)價(jià)晶粒間界垂直于表面的多晶硅樣品中的有效擴(kuò)散長(zhǎng)度,還可用于測(cè)試硅片潔凈區(qū)寬度,以及太陽(yáng)能電池和其他光學(xué)器件的有效擴(kuò)散長(zhǎng)度。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子信息企業(yè)能源管理體系的認(rèn)證要求,規(guī)定了電子信息企業(yè)能源使用和消耗實(shí)施系統(tǒng)管理的基本要求,考慮了影響電子信息企業(yè)能源績(jī)效的因素,明確了電子信息企業(yè)能源管理體系的具體要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子信息企業(yè)的能源管理體系認(rèn)證,可用于電子信息企業(yè)建立、實(shí)施、保持和改進(jìn)其能源管理體系,也作為各相關(guān)方考核電子信息企業(yè)能源管理體系的依據(jù)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶和硅單晶片單位產(chǎn)品能源消耗(以下簡(jiǎn)稱能耗)限額的要求、計(jì)算原則、計(jì)算范圍、計(jì)算方法和節(jié)能管理與措施。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶,包括半導(dǎo)體級(jí)硅單晶、太陽(yáng)能級(jí)硅單晶;硅單晶片,包括半導(dǎo)體器件用硅單晶片和光伏太陽(yáng)能電池用硅單晶片(以下統(tǒng)稱硅片)生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)品能耗的計(jì)算、考核以及對(duì)新建項(xiàng)目的能耗控制。
This part of DIN EN 62047 defines terms for micro-electromechanical devices including the process of production of such devices.
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