太陽能級單晶硅檢測

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GB/T 25074-2017太陽能級多晶硅

本標準規定了太陽能級多晶硅的術語和定義、牌號及分類、要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸、貯存和質量證明書。本標準適用于以氯硅烷、硅烷為原料生長的棒狀多晶硅或經破碎形成的塊狀多晶硅。

GB/T 29055-2019太陽能電池用多晶硅片

本標準規定了太陽能電池用多晶硅片(以下簡稱硅片)的要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書及訂貨單(或合同)內容。本標準適用于太陽能電池用鑄造多晶硅片(包括類單晶硅片)。

GB/T 29850-2013光伏電池用硅材料補償度測量方法

本標準規定了光伏電池用硅材料補償度的測量和分析方法。本標準適用于光伏電池用非摻雜硅材料補償度的測量和分析。

GB/T 32277-2015硅的儀器中子活化分析測試方法

本標準規定了硅材料的儀器中子活化分析測試方法。本標準適用于化學氣相沉積法或冶金提純方法生產的硅材料的儀器中子活化分析。分析樣品可以是單晶硅、多晶硅，而多晶硅的形態可以是粉末、顆粒、塊狀或硅片。本標準適用于材料的宏觀成分分析。如按本測試方法進行額外的樣品制備，并在樣品抽取、傳送和制備過程中避免表面污染，也可實現樣品的表面或近表面區域分析。本測試方法僅適用于附錄A中所列痕量元素的熱中子或超熱中子活化分析。本測試方法不適用于非晶硅薄膜、多晶硅薄膜或微晶硅薄膜的分析。對于受到人為摻雜高濃度特殊元素的硅樣品，也不屬于本測試方法適用范圍，但在檢查過摻雜對安全、檢測限和小等待時間t<下標w0>的影響之后，該測試方法還是可能適用。本測試方法用于分析大范圍的痕量元素(見附錄A)。通常，樣品的輻照時間應比<上標31>Si的衰變壽命長，而且應等輻照生成的<上標31>Si充分地衰變之后才能實施分析。

GB/T 32651-2016采用高質量分辨率輝光放電質譜法測量太陽能級硅中痕量元素的測試方法

本標準規定了采用高質量分辨率輝光放電質譜法測量太陽能級硅中痕量元素的方法。本標準適用于太陽能級硅材料中痕量元素的測定，其中鐵(Fe)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、硼(B)、磷(P)、鈣(Ca)、鈉(Na)、鎂(Mg)、鋁(Al)、砷(As)、鈧(Sc)、鈦(Ti)、釩(V)、錳(Mn)、鈷(Co)、鎵(Ga)等元素的測定范圍為5 μg/kg~50 mg/kg。本方法適用于分析多種物理形態的以及添加任何種類和濃度摻雜劑的硅材料，例如多晶硅粉末、顆粒、塊、錠、片和單晶硅棒、塊、片等。

GB/T 50780-2013電子工程建設術語標準

1.0.1為規范電子工程建設的基本術語及其定義,實現術語標準化,制定本標準。1.0.2本標準適用于電子工程建設的規劃、咨詢、設計、工程監理、工程管理等工程服務以及教學、科研及其他相關領域。1.0.3電子工程建設文件、圖紙、科技文獻使用的術語,除應符合本標準外,尚應符合現行有關標準的規定。

JC/T 1048-2018單晶硅生長用石英坩堝

本標準規定了單晶硅生長用石英坩堝(以下簡稱石英坩堝)的術語和定義、分類和標記、要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸和貯存。本標準適用于用高純石英砂做原料，采用電弧法工藝生產，應用于直拉法生長單晶硅材料的石英坩堝。

SJ/T 11854-2022光伏用直拉單晶爐

本文件規定了光伏用直拉單晶爐(以下簡稱單晶爐)的術語定義、規格型號、技術要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存、本文件適用于采用軟軸直拉法進行太陽能級8英寸和12英寸單晶硅生長的單晶爐。

YS/T 840-2012再生硅料分類和技術條件

本標準規定了再生硅料的技術條件及分類、測試方法、檢驗規則以及包裝、標志、運輸、貯存、訂貨單等。本標準適用于從生產、加工、使用過程中產生的可回收利用的硅料，來源包括用于生產太陽能級硅晶體的除過碳的碳極多晶硅（碳頭料）、晶體硅頭尾料、邊皮料、堝底料、晶體硅樣塊、原生型廢硅片等。

DB31/ 792-2014硅單晶及其硅片單位產品能源消耗限額

本標準規定了硅單晶和硅單晶片單位產品能源消耗(以下簡稱能耗)限額的要求、計算原則、計算范圍、計算方法和節能管理與措施。本標準適用于硅單晶，包括半導體級硅單晶、太陽能級硅單晶；硅單晶片，包括半導體器件用硅單晶片和光伏太陽能電池用硅單晶片(以下統稱硅片)生產企業產品能耗的計算、考核以及對新建項目的能耗控制。