砷化鎵檢測

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GB/T 1555-2023半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

本文件描述了X射線衍射定向和光圖定向測定半導(dǎo)體單晶晶向的方法。本文件適用于半導(dǎo)體單晶晶向的測定。X射線衍射定向法適用于測定硅、鍺、砷化鎵、碳化硅、氧化鎵、氮化鎵、銻化銦和磷化銦等大致平行于低指數(shù)原子面的半導(dǎo)體單晶材料的表面取向；光圖定向法適用于測定硅、鍺等大致平行于低指數(shù)原子面的半導(dǎo)體單晶材料的表面取向。

GB/T 2296-2001太陽電池型號命名方法

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽電池（包括單體、組件、板、子方陣、方陣）型號命名方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于同質(zhì)結(jié)、異質(zhì)結(jié)、肖特基勢壘及光電化學(xué)型的太陽電池。

GB/T 4326-2006非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測量方法適用于測量非本征半導(dǎo)體單晶材料的霍爾系數(shù)、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃度。 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測量方法僅在有限的范圍內(nèi)對鍺、硅、砷化鎵和磷化鎵單晶材料進(jìn)行了實驗室測量，但該方法也可適用于其他半導(dǎo)體單晶材料，一般情況下，適用于室溫電阻率高達(dá)10<上標(biāo)4>Ω?cm半導(dǎo)體單晶材料的測試。

GB/T 4475-1995敏感元器件術(shù)語

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了敏感元器件的術(shù)語及定義，包括熱（溫）敏、光敏、壓敏、濕敏、氣敏、磁敏、力敏、離子敏、生物敏、放射線敏和纖維光學(xué)敏感元器件11個部分。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于敏感元器件的生產(chǎn)、使用、科研和教學(xué)等方面，作為統(tǒng)一技術(shù)用語的依據(jù)。

GB/T 4960.6-2008核科學(xué)技術(shù)術(shù)語.第6部分：核儀器儀表

GB/T 4960的本部分規(guī)定了核輻射探測器、通用核儀器、核設(shè)施儀表和控制、輻射防護(hù)儀器及核輻射應(yīng)用儀器等核儀器的基本術(shù)語和定義。本部分適用于有關(guān)核儀器標(biāo)準(zhǔn)、合同、報告和技術(shù)規(guī)格書等技術(shù)文件的編寫，文獻(xiàn)翻譯以及技術(shù)交流等。

GB/T 5295-2012光陰極光譜響應(yīng)特性系列

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了光陰極光譜響應(yīng)特性的命名方法，并給出了光陰極光譜響應(yīng)特性系列。本標(biāo)準(zhǔn)適用于光敏管、圖像管、攝像管等電子管的光陰極。

GB/T 6494-2017航天用太陽電池電性能測試方法

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了航天用太陽電池在地面模擬光源下電性能測試的要求和方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于航天用太陽電池的電性能測試，包括單晶硅太陽電池、單結(jié)和多結(jié)砷化鎵太陽電池(包括GaInP<下標(biāo)2>/GaAs/Ge三結(jié)太陽電池、GaInP<下標(biāo)2>/GaAs/In<下標(biāo)0.3>Ga<下標(biāo)0.7>As三結(jié)太陽電池和GaInP<下標(biāo)2>/GaAs/In<下標(biāo)0.3>Ga<下標(biāo)0.7>As/In<下標(biāo)0.58>Ga<下標(biāo)0.42>As四結(jié)太陽電池等)。

GB/T 6496-2017航天用太陽電池標(biāo)定方法

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用地面直接陽光方法進(jìn)行航天用一級標(biāo)準(zhǔn)太陽電池標(biāo)定的標(biāo)定原理、儀器設(shè)備、測試系統(tǒng)和程序等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于航天用單晶硅、單結(jié)砷化鎵一級標(biāo)準(zhǔn)太陽電池以及航天用多結(jié)砷化鎵太陽電池相應(yīng)的一級標(biāo)準(zhǔn)子太陽電池的標(biāo)定、其他類型航天用標(biāo)準(zhǔn)太陽電池，地面用標(biāo)準(zhǔn)太陽電池的標(biāo)定可參照執(zhí)行。

GB/T 6616-2023半導(dǎo)體晶片電阻率及半導(dǎo)體薄膜薄層電阻的測試 非接觸渦流法

本文件描述了非接觸渦流法測試半導(dǎo)體晶片電阻率及半導(dǎo)體薄膜薄層電阻的方法。本文件適用于測試直徑或邊長不小于25.0 mm、厚度為0.1 mm~1.0 mm的硅、導(dǎo)電型砷化鎵、導(dǎo)電型碳化硅單晶片的電阻率，以及襯底上制備的電阻不小于薄膜電阻1 000倍的薄膜薄層的電阻。單晶片電阻率的測試范圍為0.001 ?·cm~200 ?·cm，薄膜薄層電阻的測試范圍為2.0×10<上標(biāo)3> ?/□~3.0×10<上標(biāo)3> ?/□。本方法也可以擴展到其他半導(dǎo)體材料中，但不適用于晶片徑向電阻率變化的判定。

GB/T 7247.14-2012激光產(chǎn)品的安全.第14部分：用戶指南

本標(biāo)準(zhǔn)給出了激光產(chǎn)品的安全使用佳指南，涉及所有由受激發(fā)射過程而產(chǎn)生光輻射的裝置、組件或系統(tǒng)（不包括發(fā)光二極管LEDs）。本標(biāo)準(zhǔn)能夠幫助相關(guān)人員識別危險、評估風(fēng)險，適用于與激光安全有關(guān)的工作和負(fù)有安全職責(zé)的人員。

GB/T 7666-2005傳感器命名法及代碼

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了傳感器的命名方法、代號標(biāo)記方法、代號。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于傳感器的生產(chǎn)、科學(xué)研究、教學(xué)以及其他有關(guān)領(lǐng)域。

GB/T 8757-2006砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法

本標(biāo)準(zhǔn)適用于摻雜化鎵單晶中載流子濃度的測量。測量范圍： n-GaAs 1.0*10<上標(biāo)17>cm<上標(biāo)-3>～1.0*10<上標(biāo)19>cm<上標(biāo)-3> p-GaAs 2.0*10<上標(biāo)18>cm<上標(biāo)-3>～1.0*10<上標(biāo)20>cm<上標(biāo)-3>

GB/T 8758-2006砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法

本標(biāo)準(zhǔn)適用于砷化鎵外延層厚度的測量，測量厚度大于2μm。要求襯底材料的電陰率小于0.02Ω?cm，外延層的電陰率大于0.1Ω?cm。

GB/T 8760-2020砷化鎵單晶位錯密度的測試方法

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了砷化鎵單晶位錯密度的測試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于｛100｝、｛111｝面砷化鎵單晶位錯密度的測試，測試范圍為0 cm<上標(biāo)-2>~100 000 cm<上標(biāo)-2>。

GB/T 9530-1988電子陶瓷名詞術(shù)語

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子陶瓷名詞術(shù)語的定義.包括基礎(chǔ)理論、瓷料種類、性能與測試、設(shè)備和工藝及其它，共五部分。

GB/T 11068-2006砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測量方法

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測量方法，適用于砷化鎵外延層基體材料中載流子濃度的測量。測量范圍：1×10<上標(biāo)14>cm<上標(biāo)-3>～5×10<上標(biāo)17>cm<上標(biāo)-3>。

GB/T 11093-2007液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了液封直拉法砷化鎵單晶及切割片的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則和標(biāo)志、包裝運輸貯存等。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于液封直拉法制備的砷化鎵單晶及其切割片。產(chǎn)品供制作微波器件、集成電路、光電器件、傳感元件和紅外線窗口等元器件用材料

GB/T 11094-2020水平法砷化鎵單晶及切割片

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了水平法砷化鎵單晶(以下簡稱砷化鎵單晶)及切割片的牌號及分類、要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運輸、貯存、質(zhì)量證明書和訂貨單(或合同)內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于光電器件、傳感元件等用的砷化鎵單晶及切割片。

GB/T 11499-2001半導(dǎo)體分立器件文字符號

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體分立器件主要的文字符號。本標(biāo)準(zhǔn)適用于編寫半導(dǎo)體分立器件有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和有關(guān)技術(shù)資料。

GB/T 13965-2010儀表元器件 術(shù)語

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了儀器儀表用機械元件、彈性元件、敏感元件、機電元件、儀表電機、儀器光源及顯示器件七類產(chǎn)品的名稱、性能特性等方面的術(shù)語和定義。本標(biāo)準(zhǔn)適用于儀表元器件的生產(chǎn)、使用、科研和教學(xué)等方面，作為統(tǒng)一技術(shù)用語的依據(jù)。