砷化鎵檢測

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GB/T 1555-2023半導體單晶晶向測定方法

本文件描述了X射線衍射定向和光圖定向測定半導體單晶晶向的方法。本文件適用于半導體單晶晶向的測定。X射線衍射定向法適用于測定硅、鍺、砷化鎵、碳化硅、氧化鎵、氮化鎵、銻化銦和磷化銦等大致平行于低指數原子面的半導體單晶材料的表面取向；光圖定向法適用于測定硅、鍺等大致平行于低指數原子面的半導體單晶材料的表面取向。

GB/T 2296-2001太陽電池型號命名方法

本標準規定了太陽電池（包括單體、組件、板、子方陣、方陣）型號命名方法。 本標準適用于同質結、異質結、肖特基勢壘及光電化學型的太陽電池。

GB/T 4326-2006非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法

本標準規定的測量方法適用于測量非本征半導體單晶材料的霍爾系數、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃度。 本標準規定的測量方法僅在有限的范圍內對鍺、硅、砷化鎵和磷化鎵單晶材料進行了實驗室測量，但該方法也可適用于其他半導體單晶材料，一般情況下，適用于室溫電阻率高達10<上標4>Ω?cm半導體單晶材料的測試。

GB/T 4475-1995敏感元器件術語

本標準規定了敏感元器件的術語及定義，包括熱（溫）敏、光敏、壓敏、濕敏、氣敏、磁敏、力敏、離子敏、生物敏、放射線敏和纖維光學敏感元器件11個部分。 本標準適用于敏感元器件的生產、使用、科研和教學等方面，作為統一技術用語的依據。

GB/T 4960.6-2008核科學技術術語.第6部分：核儀器儀表

GB/T 4960的本部分規定了核輻射探測器、通用核儀器、核設施儀表和控制、輻射防護儀器及核輻射應用儀器等核儀器的基本術語和定義。本部分適用于有關核儀器標準、合同、報告和技術規格書等技術文件的編寫，文獻翻譯以及技術交流等。

GB/T 5295-2012光陰極光譜響應特性系列

本標準規定了光陰極光譜響應特性的命名方法，并給出了光陰極光譜響應特性系列。本標準適用于光敏管、圖像管、攝像管等電子管的光陰極。

GB/T 6494-2017航天用太陽電池電性能測試方法

本標準規定了航天用太陽電池在地面模擬光源下電性能測試的要求和方法。本標準適用于航天用太陽電池的電性能測試，包括單晶硅太陽電池、單結和多結砷化鎵太陽電池(包括GaInP<下標2>/GaAs/Ge三結太陽電池、GaInP<下標2>/GaAs/In<下標0.3>Ga<下標0.7>As三結太陽電池和GaInP<下標2>/GaAs/In<下標0.3>Ga<下標0.7>As/In<下標0.58>Ga<下標0.42>As四結太陽電池等)。

GB/T 6496-2017航天用太陽電池標定方法

本標準規定了采用地面直接陽光方法進行航天用一級標準太陽電池標定的標定原理、儀器設備、測試系統和程序等。本標準適用于航天用單晶硅、單結砷化鎵一級標準太陽電池以及航天用多結砷化鎵太陽電池相應的一級標準子太陽電池的標定、其他類型航天用標準太陽電池，地面用標準太陽電池的標定可參照執行。

GB/T 6616-2023半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試 非接觸渦流法

本文件描述了非接觸渦流法測試半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的方法。本文件適用于測試直徑或邊長不小于25.0 mm、厚度為0.1 mm~1.0 mm的硅、導電型砷化鎵、導電型碳化硅單晶片的電阻率，以及襯底上制備的電阻不小于薄膜電阻1 000倍的薄膜薄層的電阻。單晶片電阻率的測試范圍為0.001 ?·cm~200 ?·cm，薄膜薄層電阻的測試范圍為2.0×10<上標3> ?/□~3.0×10<上標3> ?/□。本方法也可以擴展到其他半導體材料中，但不適用于晶片徑向電阻率變化的判定。

GB/T 7247.14-2012激光產品的安全.第14部分：用戶指南

本標準給出了激光產品的安全使用佳指南，涉及所有由受激發射過程而產生光輻射的裝置、組件或系統（不包括發光二極管LEDs）。本標準能夠幫助相關人員識別危險、評估風險，適用于與激光安全有關的工作和負有安全職責的人員。

GB/T 7666-2005傳感器命名法及代碼

本標準規定了傳感器的命名方法、代號標記方法、代號。 本標準適用于傳感器的生產、科學研究、教學以及其他有關領域。

GB/T 8757-2006砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法

本標準適用于摻雜化鎵單晶中載流子濃度的測量。測量范圍： n-GaAs 1.0*10<上標17>cm<上標-3>～1.0*10<上標19>cm<上標-3> p-GaAs 2.0*10<上標18>cm<上標-3>～1.0*10<上標20>cm<上標-3>

GB/T 8758-2006砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法

本標準適用于砷化鎵外延層厚度的測量，測量厚度大于2μm。要求襯底材料的電陰率小于0.02Ω?cm，外延層的電陰率大于0.1Ω?cm。

GB/T 8760-2020砷化鎵單晶位錯密度的測試方法

本標準規定了砷化鎵單晶位錯密度的測試方法。本標準適用于｛100｝、｛111｝面砷化鎵單晶位錯密度的測試，測試范圍為0 cm<上標-2>~100 000 cm<上標-2>。

GB/T 9530-1988電子陶瓷名詞術語

本標準規定了電子陶瓷名詞術語的定義.包括基礎理論、瓷料種類、性能與測試、設備和工藝及其它，共五部分。

GB/T 11068-2006砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測量方法

本標準規定了砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測量方法，適用于砷化鎵外延層基體材料中載流子濃度的測量。測量范圍：1×10<上標14>cm<上標-3>～5×10<上標17>cm<上標-3>。

GB/T 11093-2007液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

本標準規定了液封直拉法砷化鎵單晶及切割片的要求、試驗方法、檢驗規則和標志、包裝運輸貯存等。 本標準適用于液封直拉法制備的砷化鎵單晶及其切割片。產品供制作微波器件、集成電路、光電器件、傳感元件和紅外線窗口等元器件用材料

GB/T 11094-2020水平法砷化鎵單晶及切割片

本標準規定了水平法砷化鎵單晶(以下簡稱砷化鎵單晶)及切割片的牌號及分類、要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存、質量證明書和訂貨單(或合同)內容。本標準適用于光電器件、傳感元件等用的砷化鎵單晶及切割片。

GB/T 11499-2001半導體分立器件文字符號

本標準規定了半導體分立器件主要的文字符號。本標準適用于編寫半導體分立器件有關標準和有關技術資料。

GB/T 13965-2010儀表元器件 術語

本標準規定了儀器儀表用機械元件、彈性元件、敏感元件、機電元件、儀表電機、儀器光源及顯示器件七類產品的名稱、性能特性等方面的術語和定義。本標準適用于儀表元器件的生產、使用、科研和教學等方面，作為統一技術用語的依據。