塑封半導體集成電路檢測

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GB/T 2423.40-2013環境試驗 第2部分:試驗方法 試驗Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱

GB/T 2423的本部分規定了一種以加速方式評定小型電工電子產品(主要是非氣密元件)耐濕熱劣化效應的標準試驗方法。本試驗不適用于評定如腐蝕和變形等外部效應。

GB/T 2423.50-2012環境試驗 第2部分：試驗方法 試驗Cy: 恒定濕熱 主要用于元件的加速試驗

GB/T 2423的本部分規定了一種以加速方式評價小型電工電子產品(主要是非氣密元件)耐濕熱劣化效應的試驗方法。本試驗不適用于評價諸如腐蝕和變形等外部效應。

GB/T 4589.1-2006半導體器件 第10部分:分立器件和集成電路總規范

本規范構成電工委員會電子元器件質量評定體系（IECQ）的一部分。 本規范是半導體器件（分立器件和集成電路，包括多片集成電路，但不包括混合電路）的總規范。 本規范規定了在IECQ體系內采用的質量評定的總程序，并給出了下述方面的總原則： ——電特性測試方法； ——氣候和機械試驗； ——耐久性試驗。

GB/T 4937.1-2006半導體器件 機械和氣候試驗方法 第1部分:總則

本部分適用于半導體器件（分立器件和集成電路）并為GB/T 4937系列的其他部分建立通用準則。 當本部分與相應的詳細規范有矛盾時，以詳細規范為準。

GB/T 4937.11-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第11部分:快速溫度變化 雙液槽法

GB/T 4937的本部分規定了快速溫度變化——雙液槽法的試驗方法。當器件鑒定既可以采用空氣-空氣溫度循環又可以采用快速溫度變化——雙液槽法試驗時，優先采用空氣-空氣溫度循環試驗。本試驗也可采用少量循環(5次~10次)的方式來模擬清洗器件的加熱液體對器件的影響。本試驗適用于所有的半導體器件。除非在有關規范中另有說明，本試驗被認為是破壞性的。本試驗與GB/T 2423.22-2002基本一致，但鑒于半導體器件的特殊要求，采用本部分的條款。

GB/T 4937.12-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第12部分:掃頻振動

GB/T 4937的本部分的目的是測定在規定頻率范圍內，振動對器件的影響。本試驗是破壞性試驗，通常用于有空腔的器件。本試驗與GB/T 2423.10-2008基本一致，但鑒于半導體器件的特殊要求，采用本部分的條款。

GB/T 4937.13-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第13部分:鹽霧

GB/T 4937的本部分規定了半導體器件的鹽霧試驗方法，以確定半導體器件耐腐蝕的能力。本試驗是模擬嚴酷的海邊大氣對器件暴露表面影響的加速試驗。適用于工作在海上和沿海地區的器件。本試驗是破壞性試驗。本試驗總體上符合IEC 60068-2-11，但鑒于半導體器件的特殊要求，采用本部分的條款。

GB/T 4937.14-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第14部分:引出端強度(引線牢固性)

GB/T 4937的本部分規定了幾種不同的試驗方法，用來測定引線/封裝界面和引線的牢固性。當電路板裝配錯誤造成引線彎曲，為了重新裝配對引線再成型加工時，進行此項試驗。對于氣密封裝器件，建議在本試驗之后按IEC 60749-8進行密封試驗，以確定對引出端施加的應力是否對密封也造成了不良影響。本部分的每一個試驗條件，都是破壞性的，僅適用于鑒定試驗。本部分適用于所有需要用戶進行引線成型處理的通孔式安裝器件和表面安裝器件。

GB/T 4937.15-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第15部分:通孔安裝器件的耐焊接熱

GB/T 4937的本部分規定了耐焊接熱的試驗方法，以確定通孔安裝的固態封裝器件承受波峰焊或烙鐵焊接引線時產生的熱應力的能力。為制定具有可重復性的標準試驗程序，選用試驗條件較易控制的浸焊試驗方法。本程序為確定器件組裝到電路板時對所需焊接溫度的耐受能力，要求器件的電性能不產生退化且內部連接無損傷。本試驗為破壞性試驗，可以用于鑒定、批接收及產品檢驗。本試驗與IEC 60068-2-20基本一致，但鑒于半導體器件的特殊要求，采用本部分的條款。

GB/T 4937.17-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第17部分:中子輻照

GB/T 4937的本部分是為了測定半導體器件在中子環境中性能退化的敏感性。本部分適用于集成電路和半導體分立器件。中子輻照主要針對軍事或空間相關的應用，是一種破壞性試驗。試驗目的如下：a)　檢測和測量半導體器件關鍵參數的退化與中子注量的關系；b)　確定規定的半導體器件參數在接受規定水平的中子注量輻射之后是否在規定的極限值之內(見第4章)。

GB/T 4937.18-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第18部分:電離輻射(總劑量)

GB/T 4937的本部分對已封裝的半導體集成電路和半導體分立器件進行<上標60>Co γ射線源電離輻射總劑量試驗提供了一種試驗程序。本部分提供了評估低劑量率電離輻射對器件作用的加速退火試驗方法。這種退火試驗對低劑量率輻射或者器件在某些應用情況下表現出時變效應的應用情形是比較重要的。本部分僅適用于穩態輻照，并不適用于脈沖型輻照。本部分主要針對軍事或空間相關的應用。本試驗可能會導致輻照器件的電性能產生嚴重退化，因而被認為是破壞性試驗。

GB/T 4937.19-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第19部分:芯片剪切強度

GB/T 4937的本部分用來確定將半導體芯片安裝在管座或其他基板上所使用的材料和工藝步驟的完整性(基于本試驗方法的目的，本部分中半導體芯片包括無源元件)。本部分適用于空腔封裝，也可作為過程監測。不適用于面積大于10 mm<上標2>的芯片，以及倒裝芯片和易彎曲基板。

GB/T 4937.20-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第20部分:塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

GB/T 4937的本部分規定了塑封表面安裝半導體器件(SMD)的耐焊接熱評價方法。該試驗為破壞性試驗。

GB/T 4937.21-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第21部分:可焊性

GB/T 4937的本部分規定了采用鉛錫焊料或無鉛焊料進行焊接的元器件封裝引出端的可焊性試驗程序。本試驗方法規定了通孔、軸向和表面安裝器件(SMDs)的“浸入和觀察”可焊性試驗程序，以及可選的SMDs板級安裝可焊性試驗程序，用于模擬在元器件使用時采用的焊接過程。本試驗方法也規定了老化條件，該條件為可選。除有關文件另有規定外，本試驗屬于破壞性試驗。

GB/T 4937.22-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第22部分:鍵合強度

GB/T 4937的本部分適用于半導體器件(分立器件和集成電路)。本部分的目的是測量鍵合強度或確定鍵合強度是否滿足規定的要求。

GB/T 4937.30-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第30部分:非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理

GB/T 4937的本部分規定了非密封表面安裝器件(SMDs)在可靠性試驗前預處理的標準程序。本部分規定了SMDs的預處理流程。SMDs在進行規定的室內可靠性試驗(鑒定/可靠性監測)前，需按本部分所規定的流程進行適當的預處理，以評估器件的長期可靠性(受焊接應力的影響)。

GB/T 4937.201-2018半導體器件 機械和氣候試驗方法 第20-1部分:對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作、包裝、標志和運輸

GB/T 4937的本部分適用于采用再流焊工藝和暴露于大氣環境中的所有非氣密封裝表面安裝器件(SMD)。本部分的目的是為SMD承制方和用戶提供按照IEC 60749-20中規定進行等級分類的潮濕、再流焊敏感的SMDs的操作、包裝、運輸和使用的標準方法。提供的這些方法是為了避免因吸收濕氣和暴露于再流焊的高溫下造成的損傷，這些損傷會造成成品率和可靠性的降低。通過這些程序的應用，實現安全無損的再流焊，元器件通過干燥包裝，提供從密封之日起保存于密封干燥袋內的包裝內壽命。IEC 60749-20耐焊接熱試驗中規定了兩種水汽浸漬試驗方法，方法A和方法B。方法A，是在假設防潮袋內相對濕度小于30%的前提下規定的。方法B，是在假設承制方暴露時間(MET)不超過24 h，且防潮袋內相對濕度小于10%的前提下規定的。在實際操作環境中，使用方法A的SMDs允許吸收濕氣達到30%RH，使用方法B的SMDs允許吸收濕氣達到10%RH。本部分規定了在上述試驗條件下SMDs的操作條件。

GB/T 14112-2015半導體集成電路 塑料雙列封裝沖制型引線框架規范

本標準規定了半導體集成電路塑料雙列封裝沖制型引線框架(以下簡稱引線框架)的技術要求及檢驗規則。本標準適用于雙列(DIP)沖制型引線框架。單列沖制型引線框架亦可參照使用。

GB/T 14113-1993半導體集成電路封裝術語

本標準規定了半導體集成電路封裝在生產制造、工程應用和產品交驗等方面使用的基本術語。 本標準適用于與半導體集成電路封裝相關的生產、科研、教學和貿易等方面的應用。

GB/T 14663-2007塑封模技術條件

本標準規定了塑封模的要求、驗收、標志、包裝和運輸。 本標準適用于集成電路和（半導體）分立元器件等塑料封裝模具的設計、制造和驗收。