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本標準規定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的型號、外形尺寸、額定值、特性、試驗方法和檢驗規則等
Insulated gate bipolar transistor
Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor
開關用雙極型晶體管空白詳細規范
Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11
Transistors bipolar. Input resistance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки t
Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement
Semiconductor devices.part 7: bipolar transistors
本標準適用于SJ/T 10438《雙極型晶體管直流參數測試儀通用技術條件》所規定的性能特性的測試
Test methods for bipolar transister DC parameter testers
本標準規定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的臂和臂對模塊的型號、外形尺寸、額定值和特性、試驗方法和檢驗規則等
Insulated gate bipolar transistor modules arm and pair of arms
本空白詳細規范規定了制定高頻放大管殼額定雙極型晶體管詳細規范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致。 本空白詳細規范是與GB/T4589.1-1989《半導體器件 分立器件和集成電路總規范》和GB/T 12560-1990《半導體器件 分立器件分規范
Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section Four--Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification
本文件規定了絕緣柵雙極型晶體管(簡稱 IGBT)用有機硅凝膠的技術要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸和貯存。 本文件適用于各種IGBT模塊用的雙組分加成型有機硅凝膠
Silicone Gels for Insulated Gate Bipolar Transistors
Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies
本空白詳細規范規定了制定高低頻放大環境額定的雙極型晶體管詳細規范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致
Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section One--Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification
本標準適用于采用直流法、單脈沖法測試雙極型晶體管直流參數的各類多參數測試儀,也適用于各類單參數的直流參數測試儀。它是直流參數測試儀產品設計、、生產和使用的共同技術依據,也是制訂各種直流參數測試儀產品標準的共同技術依據
General specification for bipolar transister DC parameter testers
Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies
Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor
本標準規定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的型號、外形尺寸、額定值、特性、試驗方法和檢驗規則等
Insulated gate bipolar transistor
Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor
開關用雙極型晶體管空白詳細規范
Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11
Transistors bipolar. Input resistance measurement technique
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки t
Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement
Semiconductor devices.part 7: bipolar transistors
本標準適用于SJ/T 10438《雙極型晶體管直流參數測試儀通用技術條件》所規定的性能特性的測試
Test methods for bipolar transister DC parameter testers
本標準規定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的臂和臂對模塊的型號、外形尺寸、額定值和特性、試驗方法和檢驗規則等
Insulated gate bipolar transistor modules arm and pair of arms
本空白詳細規范規定了制定高頻放大管殼額定雙極型晶體管詳細規范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致。 本空白詳細規范是與GB/T4589.1-1989《半導體器件 分立器件和集成電路總規范》和GB/T 12560-1990《半導體器件 分立器件分規范
Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section Four--Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification
本文件規定了絕緣柵雙極型晶體管(簡稱 IGBT)用有機硅凝膠的技術要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸和貯存。 本文件適用于各種IGBT模塊用的雙組分加成型有機硅凝膠
Silicone Gels for Insulated Gate Bipolar Transistors
Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies
本空白詳細規范規定了制定高低頻放大環境額定的雙極型晶體管詳細規范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致
Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section One--Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification
本標準適用于采用直流法、單脈沖法測試雙極型晶體管直流參數的各類多參數測試儀,也適用于各類單參數的直流參數測試儀。它是直流參數測試儀產品設計、、生產和使用的共同技術依據,也是制訂各種直流參數測試儀產品標準的共同技術依據
General specification for bipolar transister DC parameter testers
Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies
Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor